一站式全球集采，源自原厂正品无忧，业界最专业的QC检测室提供品质保证，让您购芯无忧！ 快速询价热线：18188642307

当前位置:  Infineon英飞凌  >>  Infineon相关型号  >>  IPA65R660CFDXKSA2详细信息

IPA65R660CFDXKSA2相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

  • SMBT3904E6327XT

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A

  • SMBT3906E6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A

  • SPW47N60CFD

    MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

  • SGW25N120

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

  • SKW30N60

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Switch TRANSISTOR

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPA65R660CFDXKSA2

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 650V CoolMOS CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and ther
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPA65R660CFDXKSA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220FP-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:650 V
  • Id-连续漏极电流:6 A
  • Rds On-漏源导通电阻:660 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:3.5 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:22 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:27.8 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:CoolMOS
  • 封装:Tube
  • 系列:CFD2
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:10 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:8 ns
  • 工厂包装数量:500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:40 ns
  • 典型接通延迟时间:9 ns
  • 零件号别名:IPA65R660CFD

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

Infineon原厂直供，源自原厂，正品无忧！

万三科技（深圳）有限公司

Infineon原厂直供，所有芯片都有Infineon原厂COC文件！

7X24小时询价热线

18188642307

原厂很远，现货很近！
万三科技，秉承原装！
现货秒杀，舍我其谁！
价格无敌，秒杀同行！
18188642307
18188642307
QQ询价
微信询价
正品无忧，安心采购！