一站式全球集采，源自原厂正品无忧，业界最专业的QC检测室提供品质保证，让您购芯无忧！ 快速询价热线：18188642307

当前位置:  Infineon英飞凌  >>  Infineon相关型号  >>  IPW60R099C7XKSA1详细信息

IPW60R099C7XKSA1相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

  • SMBT3904E6327XT

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A

  • SMBT3906E6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A

  • SPW47N60CFD

    MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

  • SGW25N120

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

  • SKW30N60

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Switch TRANSISTOR

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPW60R099C7XKSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET HIGH POWER_NEW
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPW60R099C7XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:600 V
  • Id-连续漏极电流:22 A
  • Rds On-漏源导通电阻:85 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:3 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:42 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:110 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:CoolMOS
  • 封装:Tube
  • 高度:21.1 mm
  • 长度:16.13 mm
  • 系列:CoolMOS C7
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:5.21 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:4.5 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:8 ns
  • 工厂包装数量:240
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:54 ns
  • 典型接通延迟时间:11.8 ns
  • 零件号别名:IPW60R099C7 SP001298004
  • 单位重量:38 g

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

Infineon原厂直供，源自原厂，正品无忧！

万三科技（深圳）有限公司

Infineon原厂直供，所有芯片都有Infineon原厂COC文件！

7X24小时询价热线

18188642307

原厂很远，现货很近！
万三科技，秉承原装！
现货秒杀，舍我其谁！
价格无敌，秒杀同行！
18188642307
18188642307
QQ询价
微信询价
正品无忧，安心采购！