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图片仅供参考,请参考产品描述

  • IRGSL4062DPBF

  • 制造商:Infineon Technologies
  • 批号:19+
  • 描述:IGBT 晶体管 600V Low VCEon
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • RoHS:
  • 技术:Si
  • 封装 / 箱体:TO-262-3
  • 安装风格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.95 V
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:48 A
  • Pd-功率耗散:250 W
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 封装:Tube
  • 高度:9.65 mm
  • 长度:11.3 mm
  • 宽度:4.83 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 产品类型:IGBT Transistors
  • 工厂包装数量:50
  • 子类别:IGBTs
  • 零件号别名:SP001535892
  • 单位重量:2.084 g

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