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IHW30N110R3相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

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    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

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  • SMBT 3904 E6433

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • IHW30N110R3

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:IGBT 晶体管
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 封装 / 箱体:TO-247-3
  • 安装风格:Through Hole
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1100 V
  • 集电极—射极饱和电压:1.55 V
  • 栅极/发射极最大电压:20 V
  • 在25 C的连续集电极电流:60 A
  • Pd-功率耗散:333 W
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • 系列:RC
  • 封装:Tube
  • 商标:Infineon Technologies
  • 栅极—射极漏泄电流:100 nA
  • 产品类型:IGBT Transistors
  • 工厂包装数量:240
  • 子类别:IGBTs
  • 商标名:TRENCHSTOP
  • 零件号别名:IHW30N110R3FKSA1 IHW3N11R3XK SP000702510
  • 单位重量:6.500 g

其它信息

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