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IPP027N08N5AKSA1相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

  • SMBT3904E6327XT

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A

  • SMBT3906E6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A

  • SPW47N60CFD

    MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

  • SGW25N120

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

  • SKW30N60

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Switch TRANSISTOR

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPP027N08N5AKSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 80V 120A TO220-3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPP027N08N5AKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:80 V
  • Id-连续漏极电流:120 A
  • Rds On-漏源导通电阻:3.4 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:2.2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:99 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:214 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Tube
  • 高度:15.65 mm
  • 长度:10 mm
  • 系列:OptiMOS 5
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:4.4 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:89 S
  • 下降时间:15 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:14 ns
  • 工厂包装数量:500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:46 ns
  • 典型接通延迟时间:22 ns
  • 零件号别名:IPP027N08N5 SP001132484
  • 单位重量:6 g

其它信息

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