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IPD038N06N3 G相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

  • SMBT3904E6327XT

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A

  • SMBT3906E6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A

  • SPW47N60CFD

    MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

  • SGW25N120

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

  • SKW30N60

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Switch TRANSISTOR

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPD038N06N3 G

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 60V 90A DPAK-2 OptiMOS 3
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPD038N06N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TO-252-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:90 A
  • Rds On-漏源导通电阻:3.8 mOhms
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:188 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:2.3 mm
  • 长度:6.5 mm
  • 系列:OptiMOS 3
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 宽度:6.22 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 下降时间:5 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:70 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:40 ns
  • 典型接通延迟时间:30 ns
  • 零件号别名:IPD038N06N3GATMA1 IPD38N6N3GXT SP000397994
  • 单位重量:4 g

其它信息

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