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图片仅供参考，请参考产品描述

  • BF 888 H6327

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:射频(RF)双极晶体管
  • RoHS:是
  • 系列:BF888
  • 晶体管类型:Bipolar Power
  • 技术:Si
  • 晶体管极性:NPN
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min:250
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:4 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO:13 V
  • 集电极连续电流:30 mA
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 配置:Single
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOT-343
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 类型:RF Bipolar Power
  • 商标:Infineon Technologies
  • Pd-功率耗散:160 mW
  • 产品类型:RF Bipolar Transistors
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:Transistors
  • 零件号别名:BF888H6327XT BF888H6327XTSA1 SP000745170

其它信息

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