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BSO615C G相关型号

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Infineon英飞凌热销型号

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • BSO615C G

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N and P-Ch 60V 3.1A, -2A DSO-8
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SO-8
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel, P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:60 V
  • Id-连续漏极电流:3.1 A, 2 A
  • Rds On-漏源导通电阻:70 mOhms, 190 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V, 2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:20 V
  • Qg-栅极电荷:22.5 nC, 20 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:2 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:SIPMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.75 mm
  • 长度:4.9 mm
  • 系列:BSO615
  • 晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
  • 宽度:3.9 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:2.25 S, 1.2 S
  • 下降时间:18 ns, 90 ns
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:75 ns, 105 ns
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:25 ns, 125 ns
  • 典型接通延迟时间:16 ns, 24 ns
  • 零件号别名:BSO615CGHUMA1 BSO615CGXT SP000216311
  • 单位重量:540 mg

其它信息

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