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BSG0811ND相关型号

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • BSG0811ND

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Infineon
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:TISON-8
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:25 V
  • Id-连续漏极电流:50 A
  • Rds On-漏源导通电阻:2.4 mOhms, 700 uOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:16 V
  • Qg-栅极电荷:8.4 nC, 29 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:6.25 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 商标名:OptiMOS
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 高度:1.15 mm
  • 长度:6 mm
  • 系列:OptiMOS 5
  • 晶体管类型:2 N-Channel
  • 宽度:5 mm
  • 商标:Infineon Technologies
  • 正向跨导 - 最小值:46 S, 90 S
  • 下降时间:1.4 ns, 2.6 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:4.7 ns, 4.3 ns
  • 工厂包装数量:5000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:4.3 ns, 8.8 ns
  • 典型接通延迟时间:4.3 ns, 5.6 ns
  • 零件号别名:BSG0811NDATMA1 SP001075902
  • 单位重量:230 mg

其它信息

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