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IRS2106SPBF相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

  • SMBT3904E6327XT

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A

  • SMBT3906E6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A

  • SPW47N60CFD

    MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

  • SGW25N120

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

  • SKW30N60

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Switch TRANSISTOR

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRS2106SPBF

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IRS2106SPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • 驱动配置高压侧或低压侧
  • 通道类型独立式
  • 驱动器数2
  • 栅极类型IGBT，N 沟道 MOSFET
  • 电压 - 电源10V ~ 20V
  • 逻辑电压- VIL，VIH0.8V，2.5V
  • 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）290mA，600mA
  • 输入类型非反相
  • 高压侧电压 - 最大值（自举）600V
  • 上升/下降时间（典型值）100ns，35ns
  • 工作温度-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SOIC

其它信息

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