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DF900R12IP4DVBOSA1相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

  • SMBT3904E6327XT

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A

  • SMBT3906E6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A

  • SPW47N60CFD

    MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

  • SGW25N120

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

  • SKW30N60

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Switch TRANSISTOR

图片仅供参考，请参考产品描述

  • DF900R12IP4DVBOSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：IGBT MOD 1200V 900A 5100W
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，DF900R12IP4DVBOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装散装
  • 系列-
  • 零件状态有源
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 配置单斩波器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）1200V
  • 电流 - 集电极（Ic）（最大值）900A
  • 功率 - 最大值5100W
  • 不同Vge，Ic 时的Vce（on）2.05V @ 15V，900A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）5mA
  • 不同Vce 时的输入电容（Cies）54nF @ 25V
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻是
  • 工作温度-40°C ~ 150°C
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块

其它信息

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