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IRF8910PBF相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

  • SMBT3904E6327XT

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A

  • SMBT3906E6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A

  • SPW47N60CFD

    MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

  • SGW25N120

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

  • SKW30N60

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Switch TRANSISTOR

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IRF8910PBF

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列HEXFET®
  • 零件状态Digi-Key 停产
  • FET 类型2 N-通道（双）
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）20V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）10A
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）13.4 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.55V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）11nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）960pF @ 10V
  • 功率 - 最大值2W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商器件封装8-SO

其它信息

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