一站式全球集采，源自原厂正品无忧，业界最专业的QC检测室提供品质保证，让您购芯无忧！ 快速询价热线：18188642307

当前位置:  Infineon英飞凌  >>  Infineon相关型号  >>  IPD50R650CEBTMA1详细信息

IPD50R650CEBTMA1相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

  • SMBT3904E6327XT

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A

  • SMBT3906E6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A

  • SPW47N60CFD

    MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

  • SGW25N120

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

  • SKW30N60

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Switch TRANSISTOR

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPD50R650CEBTMA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N CH 500V 6.1A PG-TO252
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPD50R650CEBTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • *姓名：
  • *电话：
  • Q Q：
  • *邮箱：

详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列CoolMOS™
  • 零件状态Digi-Key 停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）500V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6.1A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）13V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）650 毫欧 @ 1.8A，13V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 150µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）15nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）342pF @ 100V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）47W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3
  • 封装/外壳TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

其它信息

一级代理商，大小批量出货，欢迎来询

Infineon原厂直供，源自原厂，正品无忧！

万三科技（深圳）有限公司

Infineon原厂直供，所有芯片都有Infineon原厂COC文件！

7X24小时询价热线

18188642307

原厂很远，现货很近！
万三科技，秉承原装！
现货秒杀，舍我其谁！
价格无敌，秒杀同行！
18188642307
18188642307
QQ询价
微信询价
正品无忧，安心采购！