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IPW65R280E6FKSA1相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

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  • SMBT3906E6327HTSA1

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    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

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    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • IPW65R280E6FKSA1

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IPW65R280E6FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装管件
  • 系列CoolMOS™
  • 零件状态停產
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）650V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13.8A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）280 毫欧 @ 4.4A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.5V @ 440µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）45nC @ 10V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）950pF @ 100V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）104W（Tc）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装PG-TO247-3
  • 封装/外壳TO-247-3

其它信息

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