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IDK08G65C5XTMA2相关型号
Infineon英飞凌热销型号

  • SMBT3906UE6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon Switch TRANSISTOR

  • SMBT3904E6327XT

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.2A

  • SMBT3906E6327HTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT PNP 40V 0.2A

  • SPW47N60CFD

    MOSFET N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

  • SGW25N120

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 25A

  • SKW30N60

    IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 600V 30A

  • SMBT3906SH6327XTSA1

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR

  • SMBT 3904 E6433

    双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon Switch TRANSISTOR

图片仅供参考，请参考产品描述

  • IDK08G65C5XTMA2

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批号：19+
  • 描述：DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO263-2
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，IDK08G65C5XTMA2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列CoolSiC™
  • 零件状态有源
  • 二极管类型碳化硅肖特基
  • 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）650V
  • 电流 - 平均整流（Io）8A（DC）
  • 不同 If 时的电压 - 正向（Vf1.8V @ 8A
  • 速度无恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间（trr）0ns
  • 不同Vr 时的电流 - 反向漏电流0ns
  • 不同Vr，F 时的电容250pF @ 1V，1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装PG-TO263-2
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C

其它信息

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