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BSM50GAL120DN2
IGBT 模块 1200V 50A CHOPPER
BF999E6327HTSA1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Triode
BF998E6327HTSA1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-CH 12 V 30 mA
BF 998 E6327
BSM75GD120DLC
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 125A
BSM200GA170DLC
IGBT 模块 N-CH 1.7KV 400A
BSM200GA120DN2
IGBT 模块 1200V 200A SINGLE
BSM100GB120DLCK
IGBT 模块 1200V 100A DUAL
BSM10GP120
IGBT 模块 1200V 10A PIM
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-Ch 200V 21A D2PAK-2
BUZ30A H3045A
BF2040E6814HTSA1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 5V
BC 850CW H6327
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
BSM200GB60DLC
IGBT 模块 600V 200A DUAL
BSM75GAL120DN2
IGBT 模块 1200V 75A CHOPPER
BSC079N10NS G
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC130P03LS G
MOSFET P-Ch -30V -22.5A TDSON-8 OptiMOS P
BSC105N10LSF G
MOSFET N-Ch 100V 90A TDSON-8 OptiMOS 2
BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
BSC016N03LS G
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